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2SK4124
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VDS=200V
ID=20A
VGS -- Qg
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IDP=60A(PW≤10μs)
ID=20A
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Operation in
this area is
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Single pulse
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2 Tc=25 ° C
2 3 5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5 7 100
2 3
5 7 1000
3.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT12415
200
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
PD -- Tc
IT16847
180
2.5
2.0
1.5
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170
160
140
120
100
80
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Ambient Temperature, Ta -- ° C
EAS -- Ta
IT12248
Case Temperature, Tc -- ° C
IT12249
100
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25
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Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
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